BEGIN:VCALENDAR
VERSION:2.0
PRODID:-//TUC//Events//EN
CALSCALE:GREGORIAN
BEGIN:VTIMEZONE
TZID:Europe/Athens
TZNAME:EEST
DTSTART:19700329T030000
RRULE:FREQ=YEARLY;BYDAY=-1SU;BYMONTH=3
BEGIN:STANDARD
TZOFFSETFROM:+0200
TZOFFSETTO:+0300
TZNAME:EET
DTSTART:19701025T040000
RRULE:FREQ=YEARLY;BYDAY=-1SU;BYMONTH=10
END:STANDARD
END:VTIMEZONE
BEGIN:VEVENT
CREATED:20250729T091050Z
LAST-MODIFIED:20250729T091050Z
DTSTAMP:20261014T042944Z
UID:1791941384@tuc.gr
SUMMARY:Παρουσίαση Διπλωματικής Εργασίας κ. 
 Λεωνίδα Κουμπιά - Σχολή ΗΜΜΥ
LOCATION:
DESCRIPTION:https://www.tuc.gr/el/to-polytechnei
 o/ilektronikes-ypiresies/imerologio/
 imerologio-ekdiloseon-1?tx_tucevents
 2_tuceventsdisplay%5Baction%5D=show&
 tx_tucevents2_tuceventsdisplay%5Bcon
 troller%5D=Event&tx_tucevents2_tucev
 entsdisplay%5Bevent%5D=7976&cHash=a0
 d443d7444c1555980216ae089fee01\nΠΟΛΥ
 ΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ\n Σχολή Ηλεκτρολόγων 
 Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών\
 n Πρόγραμμα Προπτυχιακών Σπουδών\n Π
 ΑΡΟΥΣΙΑΣΗ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑΣ\n Λε
 ωνίδα Κουμπιά\n με θέμα\n Ηλεκτρικός
  χαρακτηρισμός τρανζίστορ υψηλής κιν
 ητικότητας ηλεκτρονίων Νιτριδίου του
  Γαλλίου (GaN HEMTs)\n Electrical ch
 aracterization of Gallium Nitride Hi
 gh Electron Mobility Transistors (Ga
 N HEMTs)\n Εξεταστική Επιτροπή\n Καθ
 ηγητής Ματτίας Μπούχερ (επιβλέπων)\n
  Καθηγητής Κωνσταντίνος Μπάλας\n Δρ.
  Νικόλαος Φασαράκης\n Περίληψη\n Οι 
 αυξανόμενες απαιτήσεις των σύγχρονων
  ηλεκτρονικών εφαρμογών για τρανζίστ
 ορ υψηλής απόδοσης ισχύος και λειτου
 ργίας σε υψηλές συχνότητες, σε συνδυ
 ασμό με την ανάγκη για μικρό μέγεθος
 , υψηλή ενεργειακή απόδοση καθώς και
  λειτουργία σε υψηλή θερμοκρασία, έχ
 ουν οδηγήσει σε αυξανόμενη ζήτηση γι
 α τρανζίστορ σύνθετων ημιαγωγών υψηλ
 ής κινητικότητας ηλεκτρονίων, όπως τ
 α τα τρανζίστορ GaN HEMT (High Elect
 ron Mobility Transistor).\n Στην παρ
 ούσα διπλωματική εργασία πραγματοποι
 είται σύντομη ανάλυση της δομής και 
 λειτουργίας της διάταξης GaN HEMT, κ
 αθώς και μελέτη του ευρέος πεδίου εφ
 αρμογών της, όπως ενισχυτές ισχύος R
 F (RF PAs), μετατροπείς ισχύος (inve
 rters), ραντάρ κ.ά. \n Βασικός στόχο
 ς της εργασίας είναι ο πλήρης πειραμ
 ατικός χαρακτηρισμός διατάξεων GaN H
 EMT, τα οποία έχουν αναπτηχθεί από τ
 ο Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και 
 Λέϊζερ του ΙΤΕ (IESL-FORTH) στο Ηράκ
 λειο. Στο Εργαστήριο Ηλεκτρονικής τη
 ς Σχολής ΗΜΜΥ πραγματοποιήθηκε εκστρ
 ατεία on-wafer μετρήσεων ακριβείας τ
 ύπου ρεύμα-τάσης (IV) και χωρητικότη
 τας-τάσης (CV) , σε ευρείο φάσμα θερ
 μοκρασίας. Ο χαρακτηρισμός αυτός καθ
 ιστά δυνατή την μοντελοποίησή της μέ
 σω του μοντέλου EPFL HEMT.\n Κατόπιν
  τούτου, παρουσιάζονται οι μέθοδοι π
 ροσδιορισμού των παραμέτρων μοντέλου
  φορτίων των HEMT, όπως η χωρητικότη
 τα φραγμού Cb, η τάση κατωφλίου VTH,
  ο παράγων κλίσης n, το ειδικό ρεύμα
  τεχνολογίας Ispec και η κινητικότητ
 α μ. Επιπρόσθετα, πραγματοποιείται σ
 τατιστική ανάλυση της συμπεριφοράς ό
 μοιων HEMT σε ένα wafer, η οποία οδη
 γεί στην παροχή αξιόπιστων στατιστικ
 ών των παραμέτρων αυτών. Συμπερασματ
 ικά, ο χαρακτηρισμός αυτός συμβάλλει
  στην μελλοντική εμπορική αξιοποίηση
  της τεχνολογίας GaN HEMT του ΙΤΕ.\n
  Abstract \n The increasing demands 
 of modern electronic applications fo
 r high-performance power transistors
  operating at high frequency while m
 aintaining compact size and high ene
 rgy efficiency as well as high opera
 ting temperatures, have led to a gro
 wing interest in compound semiconduc
 tor devices with high electron mobil
 ity, such as GaN HEMTs (High Electro
 n Mobility Transistors).\n This thes
 is presents a brief analysis of the 
 structure and operation of the GaN H
 EMT device, as well as an overview o
 f its wide range of applications, in
 cluding RF power amplifiers (RF PAs)
 , power inverters, high-speed switch
 es, radar systems, and more. \n The 
 primary objective of the study is th
 e detailed characterization of GaN H
 EMT devices, produced at the Institu
 te of Electronic Structure and Laser
  (IESL) at FORTH in Heraklion, Crete
 . An on-wafer characterization campa
 ign is carried out at the Electronic
 s Laboratory of the School of ECE at
  TUC, with precision measurements of
  current-voltage (IV) as well as cap
 acitance-voltage (CV) types, over a 
 large temperature range. This charac
 terization enables the modeling of t
 he devices based on the EPFL-HEMT mo
 del.\n Following this, advanced para
 meter extraction methods are present
 ed for the charge-based HEMT model, 
 such as the barrier capacitance Cb, 
 the threshold voltage VTH, the slope
  factor n, the technology current I0
 , and the mobility μ. Furthermore, a
  statistical analysis is conducted o
 n the behavior of identical HEMTs ac
 ross a single wafer, providing relia
 ble statistical data for the above k
 ey parameters. In conclusion, this c
 haracterization contributes to the p
 otential future commercial exploitat
 ion of FORTH’s GaN HEMT technology.\
 n
STATUS:CONFIRMED
ORGANIZER;RSVP=FALSE;CN=TUC;CUTYPE=TUC:mailto:webmaster@tuc.gr
DTSTART:20250730T110000
DTEND:20250730T120000
TRANSP:OPAQUE
CLASS:DEFAULT
END:VEVENT
END:VCALENDAR