BEGIN:VCALENDAR VERSION:2.0 PRODID:-//TUC//Events//EN CALSCALE:GREGORIAN BEGIN:VTIMEZONE TZID:Europe/Athens TZNAME:EEST DTSTART:19700329T030000 RRULE:FREQ=YEARLY;BYDAY=-1SU;BYMONTH=3 BEGIN:STANDARD TZOFFSETFROM:+0200 TZOFFSETTO:+0300 TZNAME:EET DTSTART:19701025T040000 RRULE:FREQ=YEARLY;BYDAY=-1SU;BYMONTH=10 END:STANDARD END:VTIMEZONE BEGIN:VEVENT CREATED:20260401T080243Z LAST-MODIFIED:20260401T080243Z DTSTAMP:20260508T182203Z UID:1778253723@tuc.gr SUMMARY:Παρουσίαση Διπλωματικής Εργασίας κ. Αναστασίου Γεωργίου - Σχολή ΗΜΜΥ LOCATION: DESCRIPTION:https://www.tuc.gr/el/to-polytechnei o/ilektronikes-ypiresies/imerologio/ imerologio-ekdiloseon-1?tx_tucevents 2_tuceventsdisplay%5Baction%5D=show& tx_tucevents2_tuceventsdisplay%5Bcon troller%5D=Event&tx_tucevents2_tucev entsdisplay%5Bevent%5D=8369&cHash=63 e21fc3b5fec830b676dd032a2679a6\nΠΟΛΥ ΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ\n Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών\ n Πρόγραμμα Προπτυχιακών Σπουδών\n Π ΑΡΟΥΣΙΑΣΗ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑΣ\n Αν αστασίου Γεωργίου\n με θέμα\n Αξιολό γηση και Μοντελοποίηση Τεχνολογίας S iC MOSFET για Εφαρμογές σε Υψηλές Θε ρμοκρασίες\n Evaluation and Modeling of SiC MOSFET Τechnology for High T emperature Applications\n Εξεταστική Επιτροπή\n Καθηγητής Ματτίας Μπούχε ρ (επιβλέπων)\n Καθηγητής Κωνσταντίν ος Γυφτάκης\n Επίκουρος Καθηγητής Γε ώργιος Πέππας\n Περίληψη\n Τα τελευτ αία χρόνια, οι διατάξεις βασισμένες σε ημιαγωγούς ευρέος ενεργειακού χάσ ματος (wide bandgap semiconductors) όπως το 4H-SiC, χρησιμοποιούνται ολο ένα και περισσότερο σε εφαρμογές ισχ ύος και υψηλής ϑερμοκρασίας, λόγω το υ μεγάλου ενεργειακού χάσματος, της αντοχής σε υψηλά ηλεκτρικά πεδία και της βελτιωμένης ϑερμικής τους συμπε ριφοράς σε σύγκριση με το πυρίτιο.\n Στο πλαίσιο αυτό, η παρούσα διπλωμα τική εργασία επικεντρώνεται στην αξι ολόγηση και μοντελοποίηση MOSFET τεχ νολογίας 2μm 4H-SiC για λειτουργία σ ε αυξημένες ϑερμοκρασίες. Τα υπό μελ έτη δείγματα προέρχονται από το Γερμ ανικό Ερευνητικό Ινστιτούτο Fraunhof er IISB, ενώ οι ηλεκτρικές μετρήσεις πραγματοποιήθηκαν στο εργαστήριο σε ϑερμοκρασιακό εύρος από 25 ⁰C έως 1 50 ⁰C.\n Η εργασία βασίζεται στο μον τέλο EKV για την περιγραφή της λειτο υργίας των διατάξεων με έμφαση στη ϑ ερμοκρασιακή εξάρτηση βασικών φυσικώ ν παραμέτρων και στη βελτίωση της πε ριγραφής της συμπεριφοράς του καναλι ού. Πραγματοποιείται εξαγωγή παραμέτ ρων από μετρήσεις C–V και I–V, ενώ τ ο Low-Field Mobility εξάγεται προκει μένου να μελετηθεί η μεταβολή της κι νητικότητας με την αύξηση της ϑερμοκ ρασίας και να αξιολογηθεί η επίδραση ϑερμικών φαινομένων στη λειτουργία των διατάξεων.\n Η ανάλυση αναδεικνύ ει διαφοροποίηση στη νόθευση μεταξύ NMOS και PMOS διατάξεων με τις συσκε υές PMOS να παρουσιάζουν ενδείξεις N on-Uniform Doping γεγονός που οδηγεί σε επέκταση του βασικού μοντέλου. Τ ο προτεινόμενο μοντέλο επιτυγχάνει β ελτιωμένη προσέγγιση με τα πειραματι κά δεδομένα και συμβάλλει στην ακριβ έστερη κατανόηση της συμπεριφοράς τω ν SiC MOSFET σε συνθήκες υψηλής ϑερμ οκρασίας.\n Abstract \n In recent ye ars, devices based on wide bandgap s emiconductors, such as 4H-SiC have b een increasingly used in power and h igh-temperature applications due to their large bandgap, high electric f ield strength and improved thermal p erformance compared to silicon.\n In this context, the present diploma t hesis focuses on the evaluation and modeling of 2μm 4H-SiC MOSFET techno logy for operation at elevated tempe ratures. The devices under study wer e provided by the German Research In stitute Fraunhofer IISB and the elec trical measurements were performed a t the laboratory over a temperature range from 25 ⁰C to 150 ⁰C.\n The wo rk is based on the EKV MOSFET model for describing device operation with emphasis on the temperature depende nce of key physical parameters and o n improving the description of chann el behavior. Parameter extraction is performed using C–V and I–V measure ments, while the low-field mobility is extracted in order to study how m obility changes with increasing temp erature and to evaluate the impact o f thermal effects on device performa nce.\n The analysis reveals differen ces in doping profiles between NMOS and PMOS devices with the PMOS devic es showing clear indications of Non- Uniform Doping. This observation lea ds to an extension of the basic mode l. The proposed model achieves an im proved fit with the experimental dat a and contributes to a more accurate understanding of the behavior of Si C MOSFETs under high-temperature ope rating conditions.\n STATUS:CONFIRMED ORGANIZER;RSVP=FALSE;CN=TUC;CUTYPE=TUC:mailto:webmaster@tuc.gr DTSTART:20260402T140000 DTEND:20260402T150000 TRANSP:OPAQUE CLASS:DEFAULT END:VEVENT END:VCALENDAR